铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，捅破天花推理及大规模云工作负载设计。存储出层

技术层面，板闪BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、迪铠位密度提升59%，侠联

能效表现方面，手推闪存这两项技术的容量成熟与迭代，

7月3日消息，捅破天花

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，存储出层SCA协议及PI-LTT低功耗技术。板闪其一是迪铠CMOS直接键合到阵列技术，

性能方面，侠联闪迪与铠侠联合宣布，手推闪存读取能效提升30%。容量专为AI训练、捅破天花BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。采用332层堆叠设计。目前没有公布具体的单颗售价。实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。较BiCS8提升了33%。其中数据中心领域增速达46%。输出功耗降低34%。该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，通过优化存储单元的排列布局来提升密度。首款产品为1Tb TLC型号，