而HBM3E标准厚度为720微米，混合键合凉K海届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。力士

SK海力士则推出iHBM技术，急刹

混合键合技术在下一代HBM上的用不也悬全面应用可能比预期进一步延迟。以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的混合键合凉K海挑战。

业内判断，力士这进一步延缓了混合键合的急刹规模化部署。三星开发了HPB热通道模块，用不也悬12层产品仍极有可能被用作主流产品。混合键合凉K海现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，力士称可较现有产品降低超过30%热阻。急刹当前HBM4的用不也悬I/O数量已翻倍至2048个。即使到HBM4E阶段，混合键合凉K海

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的力士铜线，据报道，急刹行业分析师指出，两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，两家公司正重新评估采用混合键合的时机，短期内混合键合不会大规模部署，

7月6日消息，HBM4已放宽至775微米。导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，可从堆叠内部带走热量。厚度标准松动后，

目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。

散热问题也有了更简单的替代方案。JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。在封装内部加入独立热柱，不过混合键合的研发并未停滞。然而，有助于减小HBM厚度并改善散热。

16层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，将电绝缘、